Halbleiter 11. Sep. 2024 Von André Weikard Lesezeit: ca. 1 Minute

Silizium-Ersatz: Infineon meldet „bahnbrechenden“ Durchbruch

Galliumnitrid soll Silizium als Halbleitermaterial Konkurrenz machen. Infineon ist auf dem Weg dahin nun ein technologischer Durchbruch gelungen.

Infineon vermeldet, es sei dem Unternehmen erstmals gelungen, 300-mm-Galliumnitrid-Wafer zu produzieren.
Foto: Infineon

Infineon ist es erstmals gelungen, einen 300-mm-Wafer auf Galliumnitrid-Basis (GaN) zu entwickeln. Das Unternehmen vermeldet seinen Erfolg als „bahnbrechende Technologie“, da sie GaN-basierte Halbleiter deutlich konkurrenzfähiger machen könnte, sowohl gegenüber den bisherigen 200-mm-Wafern als auch gegenüber Chips auf Basis von Silizium.

Infineon-Chef: „Wird die Branche verändern“

Infineon gibt an, dass auf den neuen Wafern die 2,3-fache Menge von Chips Platz finde, als es auf dem kleineren Vorgänger der Fall war. Das ermögliche eine höhere Effizienz sowie niedrigere Gesamtkosten etwa für die Stromversorgung von KI-Systemen, Solarwechselrichter, Ladegeräte und Adapter oder Motorsteuerungssysteme.

„Dieser bemerkenswerte Erfolg (…) unterstreicht unsere Position als Innovationsführer in den Bereichen GaN und Power-Systeme“, ordnet Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender von Infineon, den Fortschritt ein. Der technologische Durchbruch werde „die Branche verändern“. Infineon wolle eine führende Rolle im schnell wachsenden GaN-Markt einnehmen und beherrsche alle drei relevanten Materialien: Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid.

GaN-Markt soll auf „mehrere Milliarden Dollar“ anwachsen

Die Pilotlinie, auf der Infineon die 300-mm-GaN-Wafer herstellt, beruht auf einer bestehenden 300-mm-Siliziumproduktion in der Power-Fab im österreichischen Villac. Auf der Branchenmesse Electronica, die im November in München stattfindet, wolle man die Fertigung vorstellen. Infineon hofft, dass die 300-mm-GaN-Produktion einen wesentlichen Schritt darstellt, um Kostengleichheit mit der Produktion auf Siliziumbasis zu erreichen. Tritt das ein, kann der GaN-Markt bis zum Ende des Jahrzehnts „mehrere Milliarden Dollar“ groß werden, glaubt man bei Infineon. Die Börse reagierte auf die Nachricht zunächst zurückhaltend. Infineon notierte in einem positiven Marktumfeld rund 1,5 % im Plus.

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